酸化ガリウム単結晶 関連用語

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 あいうえお順 (酸化ガリウム単結晶 関連用語)

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エピタキシャル成長
 エピタキシャル成長とは、半導体製造技術関連の薄膜結晶成長技術のひとつで、半導体の単結晶の基板上に、新しく単結晶の薄膜を成長させること。

チョクラルスキー法(CZ法)
 高純度の単結晶を製造する代表的な技術の1つで、種結晶を坩堝内で加熱して溶融状態にした結晶材料に接触させてゆっくりと回転させながら引き上げる方法。シリコンウエハの材料となる単結晶インゴットは主にこの方法で作られている。
 シリコンの単結晶インゴットを作る場合、一般的に石英(二酸化ケイ素/SiO2)の坩堝(るつぼ)を用いる。
 酸化ガリウムの単結晶をチョクラルスキー法で作る場合、酸化ガリウムを含む原料の溶融にはイリジウム製などの坩堝(ルツボ)が使用される。しかしながら、イリジウムは非常に高価であるだけでなく、坩堝に起因する不純物が問題となる。

ブリッジマン法
 ブリッジマン法とは、適当な温度勾配をもった炉内で結晶材料を溶融させ、炉内で溶融材料を入れた容器を移動するか、炉を移動するなどして炉の温度を下げ、容器内の一端から凝固結晶化させる方法。

フローティングゾーン法(FZ法)
 フローティングゾーン法(FZ法)とは、単結晶を育成する方式の1つで、結晶材料棒の一部を加熱して融液部を作り、その融液部を表面張力によって支えながら種結晶と接触させ、全体を下方に移動させることで単結晶を成長させる方法。
 坩堝(るつぼ)を使わないため、純度の高い単結晶が作れるが、一般的に大口径化は難しい。

ペデスタル法
 ペデスタル法とは、固体状の結晶原料の一部を加熱して融液化させ、その部分に種結晶を接触させて結晶を成長させ、種結晶を引上げて単結晶を製造する方法。


※酸化ガリウム単結晶/次世代パワー半導体材料 ~(株)AKT研究所~

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CVD
 Chemical Vapor Deposition (化学気相成長)

CZ法
 チョクラルスキー( Czochralski )法

EFG法
 EFG( Edge Difined Film Growth )法
 EFG法とは、種結晶との接触部を持つスリットを設けた結晶成長用ダイを坩堝(ルツボ)の中で加熱して融液化した結晶材料に浸し、毛細管現象を用いて結晶材料を供給しながら種結晶を引き上げることで単結晶を製造する方法。
 単結晶サファイア基板を製造するための代表的な方法である。大口径の単結晶基板を作ることに適している。
 酸化ガリウムをこの方法で製造する場合、①坩堝に起因する不純物が混入する、②融液溜まりから結晶にかけての温度変化が激しく結晶が綺麗に整列する前に固まってしまう、③ダイの金属を保護するために酸素の供給を抑制しなければならないため、高純度・高品質の酸化ガリウム単結晶を作るには原理的に問題の多い方法である。
 ※参考:AKTサイエンスブログ

LPE
 Liquid Phase Epitaxy (液相エピタキシャル成長)

MOCVD
 Metal Organic Chemical Vapor Deposition (有機金属気相成長法)

SPE
 Solid Phase Epitaxy (固相エピタキシャル成長)

VPE
 Vapor Phase Epitaxy (気相エピタキシャル成長)


※酸化ガリウム単結晶/次世代パワー半導体材料 ~(株)AKT研究所~

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