酸化ガリウム単結晶/次世代パワー半導体材料 ~(株)AKT研究所~

【 AKTニュース 】
平成30年8月25日
 AKT研究所は、平成30年度のNEDOのSTS事業「研究開発型ベンチャー支援事業/シード期の研究開発型ベンチャーに対する事業化支援」第1回公募の交付先に決定されました。
 → NEDOのWebサイト
 → 交付決定先リスト
平成30年6月23日
 AKT研究所は、全省庁統一資格審査にパスし、各省庁の全調達機関において有効な入札参加資格となりました。
平成30年6月14日
 大手企業様にAKT本社にお越し頂き、協業等の意見交換を行わせて頂きました。
平成30年6月8日
 サンプル単結晶の販売を開始しています。著名な大手企業様への販売実績が生じています。
平成30年5月26日
  関西高機能素材weeK出展およびセミナー「材料科学の未来を拓く結晶技術」を行いました。
平成30年4月23日
 AKT研究所は、「農工大・多摩小金井ベンチャーポート」(東京都小金井市)に移転しました。
平成30年4月16日
 AKT研究所は、「イノベーションジャパン2018 ~大学見本市~」に出展します。
平成30年3月15日
 AKT研究所は、リアルテックファンドに出資して頂きました。ユーグレナのニュース」でもご紹介頂きました。
平成29年12月17日
 セミコンジャパン2017(12月13日~15日)に出展しました。
平成29年11月13日
 AKT研究所の事業が、平成29年度のNEDOのSTS事業(第2回公募)に採択されました。

※お問い合わせ先(メール):main★akt-lab.jp (「★」はアットマークにしてください)
 担当:松平 (AKT研究所 取締役)
 株式会社アドバンスト・キー・テクノロジー研究所

酸化ガリウム単結晶のAKT

 

本ページのコンテンツ

株式会社アドバンスト・キー・テクノロジー研究所について
必見! アドバンスト・キー・テクノロジー研究所によるバルク単結晶デモンストレーション
酸化ガリウムとは?  ~ 大きな バンドギャップ が魅力の新材料 ~
酸化ガリウムは融液成長が可能
酸化ガリウムの結晶構造/融点/熱伝導率
酸化ガリウムを用いた パワーデバイス ・ パワー半導体 ・関連企業
酸化ガリウムのp型層
当社(AKT研究所)の保有技術・特許・エンジニア必見!関連動画 ~バルク単結晶の製造~
AKT研究所の主な特許技術
新着情報! 日刊工業新聞に掲載されました
GaNパワーデバイス
酸化ガリウム系半導体の市場規模
セミコンジャパン2017に出展しました
「化合物半導体パビリオン」は酸化ガリウム 関連銘柄のホットスポット?
関連リンク

株式会社アドバンスト・キー・テクノロジー研究所について

酸化ガリウム単結晶のAKT


 株式会社アドバンスト・キー・テクノロジー研究所は、単結晶製造装置など、材料科学分野における研究開発型のものづくりベンチャー企業です。
 
 同社がとりわけ注目している材料が、酸化ガリウムGa2O3)やイットリウム・バナデート(YVO4)などの酸化物系の機能性無機材料です。
 AKT研究所では、坩堝(るつぼ)を使うことなく、高純度の酸化ガリウムバルク単結晶を作る技術を開発しています。
 
 このうち酸化物半導体の1つである、酸化ガリウム(ガリウムオキサイド)は、次世代のパワー半導体(パワーデバイス)の材料としてとても有望視されています。
 酸化ガリウムはバンドギャップが大きく、高耐圧で低損失のパワーデバイスが実現できると期待されているのです。

 私(知財経営研究社代表/松平竹央)は、AKT研究所の取締役を務めております。

※お問い合わせ先(メール):main★akt-lab.jp (「★」はアットマークにしてください)
 担当:松平 (AKT研究所 取締役)
 株式会社アドバンスト・キー・テクノロジー研究所

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アドバンスト・キー・テクノロジー研究所によるバルク単結晶デモンストレーション

 (株)アドバンスト・キー・テクノロジー研究所(AKT研究所)では、試作開発中の単結晶製造装置を用いて、デモンストレーションを行っております。

 酸化ガリウムのサンプル結晶を含む、様々な材料の単結晶を製造できるレベルになっています。

 将来の顧客・ビジネスパートナーの候補として、すでに誰もがご存知の著名な企業の方に対しても、デモンストレーションをお見せする段階となりました。

 ペデスタル法を進化させた、当社(AKT研究所)の特許技術である アドバンスト・ペデスタル法(AP法)による結晶製造のデモをご覧いただき、視察に来られた企業の方と当社(AKT)双方の事業を前進させるための情報・意見交換をさせて頂いております。

 それでは、デモの様子です。

 下の写真は、当社(AKT)の単結晶製造装置の試作機です。

酸化ガリウムなどの単結晶の製造装置

 
 ターゲット材料にハロゲンランプの光を集光させ、加熱していきます。

酸化ガリウム単結晶の製造工程


 材料棒の先端がみるみる、高温になっていきます。
 結晶工学に明るいエンジニアの方は、たいてい、「こんなに早いとは!」と驚かれます。
 
 当社(AKT)のアドバンスト・ペデスタル法(AP法)は、坩堝(るつぼ)を使わないことが最大の特長です。
 固形の材料自体で融液を保持しますので、いわば材料自体が坩堝の役割を果たします。
 坩堝を使わないため、電源OFFの状態から、見学される方の目の前で結晶の製造をお見せすることができます。所要時間は、小一時間程度、といったところでしょうか。
 
 もちろん、坩堝を使うことによる様々なデメリットを排除できます。例えば、不純物の問題です。

酸化ガリウム 焼結体と種結晶

 
 結晶ができる様子は、モニタで観察することができます。
 坩堝(るつぼ)を使わない方式のため、単結晶の融液成長の様子をリアルタイムに確認・制御することができます。(制御方式の技術開発も行っております)
 
 これも、アドバンスト・ペデスタル法(AP法)の大きな特長です。
 今回のデモでは、上側が種結晶、下がターゲット材料です。


 ターゲットが融点に達してきました。
 そろそろ、結晶の融液成長が始まります。
 融液部の輝度が上がり、さすがに、直接肉眼で観察することはできません。これ以降はパソコンのモニター画面で観察することになります。

パワーデバイス用酸化ガリウム(Ga2O3)の単結晶の融液成長

 
 ターゲットが融解し、シードタッチを行います。すると上側の種結晶に結晶が成長していきます。
 結晶が成長していく様子を、モニターでリアルタイムに確認することができます。

 種結晶をゆっくり引き上げていきます。

 そして、それを冷ましますと単結晶サンプルの出来上がりです。
 どのような速度で引き上げ、どのような温度勾配で冷ますかについても、とても重要です。

 誰もがご存知の著名企業の研究者の方のために行いましたこのデモで、一体何の単結晶を作ったかはさておきまして、酸化ガリウムの単結晶を作る工程につきましてもこの原理を活用します。

 1日で、研究開発用に用いる単結晶サンプルを、3種類ほどは作れると思います。

 新素材の研究開発の効率・生産性が、飛躍的に向上します。

 次世代パワー半導体、高出力レーザー素子、IoT時代の新センサー等のための新素材の研究をされている皆さま、このような革新的な技術の導入につきまして、ともに考えていきませんか?

 ここに紹介した要素技術は、ほんの一部に過ぎません。

 秘密としておくべきことを除く要素技術に関しましては、特許出願を済ませております。
 すでにいくつかは特許査定済みです。
 外国出願にも取り組んでいます。

 (株)アドバンストキーテクノロジー研究所の、単結晶製造技術に是非、ご注目下さい。


 昨年(2016年)の3月ですが、日刊工業新聞様に採り上げて頂きました。
 「るつぼを使わず安定製造」(シンチレーター結晶材料)

るつぼを使わず安定製造(単結晶)



 これは、AKT研究所の「ものづくり補助金」による試作開発の成果です。

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酸化ガリウムとは? ~大きなバンドギャップが魅力の新材料

 ガリウム(Ga)は、パワー半導体デバイスに適した物性を有する材料の1つです。

 酸化ガリウムは、化学式ではGa2O3で表されます。
 酸化ガリウムは大きなバンドギャップを有し、低損失・高耐圧のパワーデバイス用材料として有望視されています。

 NEDOの調査(委託先:信州大学)によれば、「①酸化ガリウム(Ga2O3)は、バンドギャップが広く、絶縁破壊電界が高いため、耐熱性が高く小型で高効率のパワーデバイスを実現できると期待されている。②またGa2O3は、シリコン(Si)と同様に融液から直接結晶化が可能なため、大型結晶を低コストで生産する事ができる。このためSiCやGaNと比較して、量産性が高く、基板価格も安くなることが期待できる。」ということです。

 酸化ガリウムのバンドギャップは4.7 ~ 4.9 eV 程度とされ、これはシリコンカーバイド(SiC)や窒化ガリウム(GaN)の 3.3~3.4 eV よりも大きなものとなっています。
 ちなみに、シリコンのバンドギャップは1.1 ~ 1.2 eV 程度です。
  
 バンドギャップの大きな半導体、すなわちワイドギャップ半導体を使えば、Siでは実現不可能な低損失、高速スイッチングなどが可能になると期待されています。
 酸化ガリウムが大きなバンドギャップを有する(ワイドバンドギャップである)ことから、酸化ガリウムをパワーデバイスに応用した場合、SiC、GaNよりもさらに高耐圧・低損失なデバイス特性を実現することができると期待されています。

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酸化ガリウムは融液成長が可能

 酸化ガリウム結晶の主な製造方法としては、融液成長やエピタキシャル薄膜成長が挙げられます。

 酸化ガリウム(ガリウムオキサイド)は、大気圧の下での融液成長で単結晶を作ることができる物質の1つです。

 酸化ガリウムは融点が高いために、坩堝(るつぼ)を使って単結晶を製造する場合、坩堝の材質としては酸化ガリウムよりも融点の高いイリジウムなど非常に高価な金属が使われます。
 坩堝材料として融点が高い金属を用いても、坩堝からの不純物の問題は残ります。
 AKT研究所の単結晶製造技術は、坩堝を使わない方法です。

 酸化ガリウムの単結晶は、(株)アドバンスト・キー・テクノロジー研究所の独自(特許技術)の単結晶製造技術で、生産性良く作ることができます。

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酸化ガリウムの結晶構造/融点/熱伝導率

 酸化ガリウムの結晶構造として、α, β, γ, δ, ε の5つの形が存在することが知られています。

 β型のGa2O3の結晶構造は、単斜晶系ベータガリア構造、α型はサファイアと同様のコランダム構造、γ 型はスピネル構造です。

 融点は、α-酸化ガリウムが1900℃、β-酸化ガリウムが1725℃です。

 なお、酸化ガリウムは他のパワー半導体材料に比べて熱伝導率が低いため、熱抵抗を抑えることや放熱性を高めることが酸化ガリウムを用いたパワーデバイスの実用化のための課題の1つとされています。

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酸化ガリウムを用いたパワーデバイスパワー半導体

 酸化ガリウムの最も安定な構造はβ型です。β型のバンドギャップは室温で4.8‒4.9 eV(電子ボルト)です。
 酸化ガリウムは、パワーデバイス用として近年適用が進んでいるSiC、GaNよりもバンドギャップと絶縁破壊電界が大きく、SiC、GaNを上回る高効率・低損失の実現が期待できると言われています。
 このため、SiCやGaNの次世代パワーエレクトロニクス用の材料として注目されています。
 パワーデバイス用としての課題としては、熱伝導率の低さがその1つとして挙げられているようですが、パッケージングでカバーできる領域かも知れません。

 ところで、NICT(情報通信研究機構)らは、すでにGa2O3を用いたショットキーバリアダイオードやトランジスタの開発に成功したということです。

 また、β型の酸化ガリウムは透明導電性酸化物であり、熱的・化学的にも極めて安定であることから、LED基板としても用いることができるといわれています(タムラ製作所様らが酸化ガリウムエピウエハの製造等の研究をされています)。
 紫外線センサーとしての用途も期待されています。

 パワーデバイスに関しては、内閣府が管轄する、「戦略的イノベーション創造プログラム(SIP) 次世代パワーエレクトロニクス(どこでもパワエレ機器で豊かな省エネ社会) 研究開発計画」においても、酸化ガリウムの研究にスポットが当てられています。
 参画機関としては、三菱電機、富士電機、ロームなど、パワー半導体の主要企業・関連銘柄企業が含まれています。

 一方、トヨタ自動車は、第16回「トヨタ先端技術共同研究公募」において、次のようなテーマを設定しています。
 (また、マテリアルズ・インフォマティクスのテーマ設定も行っています。)

 3-1 酸化物半導体における不純物活性化
 酸化ガリウム(β-Ga2O3)半導体における不純物元素の挙動解明、及び伝導型制御のための技術

 酸化ガリウム中におけるp型不純物元素の
 (1) 活性化メカニズム、及び不純物準位に関する解析技術
 (2) 安定な存在形態、及び不純物元素と結晶欠陥・異種元素との相互作用に関する解析技術
 (3) 自己補償効果抑制技術

 日経テクノロジーは、車載パワー半導体のロードマップとして、酸化ガリウムについて次のように言及しています。
「材料の置換で小型・高性能化・低コスト化が進む。現在のSiは段階的にSiCやGaNに置き換わり始め、2030年ごろにはGa2O3(酸化ガリウム)の実用化が期待できる。」

 酸化ガリウムを用いたパワーデバイスが実用段階に入れば、よりエネルギー効率のよい社会を実現できるでしょう。
 また、いまだに大きくて重たい、PC用のACアダプターを超小型化、超軽量化できるかも知れません。
 いずれ、誰かがそれを行うでしょう。
 私たち(AKT研究所)は、それが我が国の企業であることを願っております。

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酸化ガリウムのp型層

 酸化ガリウムが半導体用材料として普及するためには、p型層の実現が課題となっています。
 最近、p層を実現したという報道がありますが、そう単純ではないようです。p層の実現はノーマリーオフ型パワートランジスタの実現に道を開くものとして期待されています。

 ・新パワー半導体「酸化ガリウム」、積年の課題の解決に道 (日経テクノロジー)
 ・コランダム構造酸化ガリウム パワーデバイスの新規p型層材料の作製に成功!(FLOSFIA)

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当社(AKT研究所)の保有技術・特許・関連動画 ~バルク単結晶の製造~

坩堝(るつぼ)を使わない結晶製造


 株式会社アドバンスト・キー・テクノロジー研究所が保有する特許です。このほかにも出願中(審査中)のものがあります。

 第6122193号 単結晶製造装置および単結晶製造方法(集光性向上)
 第6106815号 単結晶製造装置および単結晶製造方法(AP法)
 第6006191号 単結晶製造装置および単結晶製造方法(AFZ法)
 第5926432号 単結晶製造装置および単結晶製造方法(高周波の活用)
 第5767299号 単結晶製造装置および単結晶製造方法(AP法)

※AP法 :Advanced Pedestal 法
 AFZ法:Advanced Floating Zone 法


★エンジニア必見! 関連動画
 アドバンスト・ペデスタル法結晶成長1
 アドバンスト・ペデスタル法結晶成長2
 アドバンスト・ペデスタル法とFZ法の比較

 酸化ガリウム(ガリウムオキサイド)のバルク結晶も、この動画と同じプロセスで作ることができます。(ただし、製造装置の改良は進めています)
 
 現在主流の単結晶の製法は、チョクラルスキー法(Cz法)ブリッジマン(Vertical Bridgman:VB)法EFG法(Edge-defined Film-fed Growth Method)ですが、これらの方法は坩堝(るつぼ)を使いますので、坩堝からの不純物の混入が避けられません

 また、坩堝物質の酸化を防止するために、酸化ガリウムなどの酸化物結晶を製造する際には必要な酸素の導入を少量に制限しなければなりません。
 これにより、原材料の酸素欠損物質などが単結晶中に混入してしまいます
 この問題点は、EFG法でも避けることができません。

 このため、従来方法はイットリウム・バナデートや酸化ガリウムなどの酸化物材料を高品質に作ることには原理的に適しません。

 さらに、従来の坩堝(るつぼ)を使って製造される単結晶は、製造ロットごとまたは同一の結晶インゴット中の場所によって品質のバラツキが大きいため、マテリアルズ・インフォマティクスで求められる材料データの取得には不向きであると我々は考えています。

 一方、坩堝(るつぼ)を使わない方式は一般的に制御が難しく、製造プロセスが不安定になりがちです。
 当社のAP法、AFZ法では、制御性の問題を解決しました。

 また、坩堝(るつぼ)を使わない方式ですので製造プロセスを外部から監視できます。
 このため、製造プロセスをリアルタイムに監視・制御することができます。
 画像(動画)を解析し、AI(人工知能)の技術を用いて最適な状態にフィードバック制御をかける方式の技術を開発しました。この技術につきましても特許出願済みです。

 また、製造工程からの酸化ガリウムの挙動データを取得でき、マテリアルズ・インフォマティクスにおいて有用なデータを蓄積できます。

 当社は、マテリアルズ・インフォマティクスが普及する時代を見据えた事業展開を行って参ります。
 すでに、製造プロセスにおけるデータ取得と、人工知能(AI)を用いた制御技術の開発に取り組んでおります。

 当社は、マテリアルズ・インフォマティクスが普及する時代を見据えた事業展開を行って参ります。

アドバンスト・キー・テクノロジー研究所

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AKT研究所の主な特許技術

特許 第6122193号

【発明の名称】
単結晶製造装置および単結晶製造方法(集光性能の向上)

AKTの単結晶製造技術 (エネルギー効率の改善)


【課題】
エネルギーロスを抑制する技術を提案する。
【解決手段】
赤外線発生手段41と反射手段42とを備えた加熱部4により形成された溶融帯域Mlを冷却することにより単結晶を製造する単結晶製造装置1において、反射手段42は、回転楕円鏡421aと凹面球面鏡421bとを備え、回転楕円鏡421aにおいて、一方の焦点F1には赤外線発生手段41を配し、もう一方の焦点F0の側を開口させ、かつ、一方の焦点F1を凹面球面鏡421bの球の中心と同一の位置とした、単結晶製造装置1およびその関連技術を提供する。



特許 第6106815号

【発明の名称】
単結晶製造装置および単結晶製造方法(AP法)

AKTの単結晶製造技術 (AP法)

【課題】
赤外線を用い、かつ、るつぼを用いないことにより、製造コストを著しく低減するとともに、赤外線を用いて原料を溶融させても、溶融した原料が種結晶に垂れず、比較的良質な単結晶の製造が容易に可能な単結晶製造装置および単結晶製造方法を提案する。
【解決手段】
原料把持部2と種結晶把持部3とを互いに天地方向に配置させた上で両者を近接させることにより、前記原料把持部2に把持された原料Mと前記種結晶把持部3に把持された種結晶Sとを近接させ、加熱部4により原料Mを加熱して溶融させた部分と種結晶Sとを接触させて溶融帯域Mlを形成し、当該溶融帯域を冷却することにより単結晶を製造する単結晶製造装置1において、前記加熱部4は、赤外線発生手段41を有し、天地方向の天の位置に種結晶把持部3が配置されており、かつ、天地方向の地の位置に原料把持部2が配置されている、単結晶製造装置1を提供する。



特許 第6006191号

【発明の名称】
単結晶製造装置および単結晶製造方法(AFZ法)

AKTの単結晶製造技術 (AFZ法)

【課題】
赤外線を用い、かつ、るつぼを用いないFZ(フローティングゾーン)法を採用しつつも、小口径から大口径に至るまでの結晶成長における溶融帯域の安定制御を可能とし、産業用途に適した大口径かつ長尺な高品質単結晶を製造可能とする単結晶製造装置および単結晶製造方法を提案する。
【解決手段】
天地方向に移動自在な赤外線の遮蔽筒を備え、かつ、原料把持部にて把持される原料における少なくとも一部を当該遮蔽筒によって水平方向に包囲自在であり、かつ、当該遮蔽筒が、赤外線発生手段から照射される赤外線を遮蔽することにより溶融帯域の内部に陰の部分を形成し、当該溶融帯域の冷却具合を調節する冷却具合調節部を有する、単結晶製造装置を提供する。

※本技術は、酸化ガリウムの大口径のバルク単結晶を製造する際に適用します。

特許 第5926432号

【発明の名称】
単結晶製造装置および単結晶製造方法(高周波の活用)


【課題】
比較的良質な単結晶を効率良く製造可能とする。
【解決手段】
溶融帯域を冷却することにより単結晶を製造する単結晶製造装置において、光の照射によって原料から溶融帯域を形成する加熱部と、溶融帯域を非接触で支える支持部と、を備える技術を提供する。


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新着情報! 日刊工業新聞に掲載されました

 2017年10月23日の、日刊工業新聞の次の記事にAKT研究所が紹介されました。

 日本の未来企業 ~次の100年を創る(99)アドバンスト・キー・テクノロジー研究所


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GaNパワーデバイス

GaNパワーデバイス SiCとのすみ分け


 当面、パワーデバイスの材料として期待されているのが、GaN(窒化ガリウム)やSiC(炭化ケイ素・シリコンカーバイド)です。

 GaNパワーデバイスにつきましては、平成29年3月に公開された、特許庁の「平成28年度 特許出願技術動向調査報告書」に掲載されました。
 この報告書には、SiC(炭化ケイ素・シリコンカーバイド)に関する記述もあります。
 酸化ガリウムに関する記述はまだありませんでした。

 この報告書が出ているということは、この技術分野におけるプレーヤーがほぼ決まりつつあるということです。
 一方、酸化ガリウムのパワーデバイス市場においては、まだどのようなプレーヤーが活躍するか、決まっていないと考えられます。我が国の企業となることを願っておりますが、そうなるとも限りません。

 株式会社アドバンスト・キーテクノロジー研究所では、GaN(窒化ガリウム)やSiCのさらに次の世代のパワーデバイスの材料として期待されている酸化ガリウムに注目しています。

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酸化ガリウム半導体の市場規模

 富士経済の調査レポートによれば、酸化ガリウム半導体の市場規模(世界市場)は、2016年は僅少、2020年予測では10億円、2025年予測では700億円ということです。
 酸化ガリウム系パワー半導体の2030年の世界市場規模は1450億円(2017年は僅少)と予測したそうです。2018年後半からショットキー・バリア・ダイオード(SBD)の量産が始まる予定で、本格的な市場拡大を見込むということです。

 矢野経済研究所も市場予測を公表しました。
 「2017年版 ワイドバンドギャップ半導体単結晶市場の現状と展望 ~SiC、GaN、その他~

 EE Times Japan 関連記事
 「次世代半導体材料、2023年に153億円規模へ
 ワイドギャップ半導体が車載システムに採用されれば、製造コスト・価格が下がって普及が進むという見立てのようです。
 


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セミコン・ジャパン2017に出展しました (小間番号 3133)

 アドバンスト・キー・テクノロジー研究所(AKT研究所)は、セミコンジャパン2017へ出展いたしました。(会期:2017年12月13日~15日)
 今回新設されました、「化合物半導体パビリオン」に出展させて頂きました。

 次世代パワーデバイス用の材料として期待される、酸化ガリウムのバルク単結晶の製造技術等をご紹介しました。
 イットリウムバナデート単結晶のサンプルも展示しました。

 お蔭様で、セミコンでは商談も頂きました。

※セミコンジャパン2017/酸化ガリウム単結晶 ~AKT研究所~

※AKT研究所は、イノベーションジャパンに出展します。

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「化合物半導体パビリオン」は酸化ガリウム 株式関連銘柄のホットスポット?

 セミコンジャパン2017の「化合物半導体パビリオン」には、AKT研究所のほか、FLOSFIA様や、ノベルクリスタルテクノロジー様も出展されました。
 将来の「酸化ガリウム 株式関連銘柄(?)」の企業が一堂に会する場となっています。
 酸化ガリウムの研磨技術・材料を紹介する企業も現れ始めました。
 
 FLOSFIA様に関しては、酸化ガリウムのSBD(ショットキーバリアダイオード)について2017年内にサンプル出荷を開始し、2018年に量産を開始する予定だとする報道が行われています。デンソーの出資を受けたことなども報じられています。
 なお、FLOSFIA様には、私(知財経営研究社 代表)が理事を務めております産学連携学会のセミナーでご登壇頂きました。

 ノベルクリスタルテクノロジー様は、タムラ製作所、東京農工大学と2インチ酸化ガリウムエピタキシャルウエハの量産を開始するとの対外発表を行っています。また、「超低消費電力の酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの開発に成功」という発表もされています。東京農工大では、「価格SiCの1/3以下に道」というセンセーショナルな見出しをつけて発表しました。

 企業からのプレス発表も増えており、日経系のメディアなどが酸化ガリウム関連ニュースを頻繁に採り上げるようになりました。そうしたことで、株式市場や関連銘柄の株価への影響が早くも始まっているのでしょうか・・?

 AKT研究所も、最近になってVC(投資ファンド)に出資して頂いております。

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関連リンク

  「戦略的イノベーション創造プログラム(SIP) 次世代パワーエレクトロニクス(どこでもパワエレ機器で豊かな省エネ社会) 研究開発計画」(内閣府)

 半導体統計データ(JEITA)

 酸化ガリウムの特許出願 ~半導体・パワーデバイス・結晶・基板関連~

 酸化ガリウム単結晶 関連用語

 酸化ガリウム ~ブログで情報発信~

 イットリウム・バナデート/YVO4の研究 ~(株)AKT研究所~

 マテリアルズ・インフォマティクスの研究 ~(株)AKT研究所~

 トリリオン・センサー(Trillion Sensors)の研究 ~(株)AKT研究所~

 セミコンジャパン2017(SEMICON Japan2017)/次世代パワー半導体  ~AKT研究所~
 

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